EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC62417-2010);德文版本EN62417-2010
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时间:2024-05-16 12:12:38
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【英文标准名称】:Semiconductordevices-Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors(MOSFETs)(IEC62417:2010);GermanversionEN62417:2010
【原文标准名称】:半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC62417-2010);德文版本EN62417-2010
【标准号】:EN62417-2010
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2010-12
【实施或试行日期】:2010-12-01
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Coatings;Degradation;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Ionization;Measurement;Measuringtechniques;Migration;Migration(chemical);MOSFET;Oxides;Rise;Semiconductordevices;Silicon;Stress;Temperature;Temperaturerise;Testing;Testingconditions;Thresholdvoltage;Transistors;Wafers
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_200
【页数】:9P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC62417-2010);德文版本EN62417-2010
【标准号】:EN62417-2010
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2010-12
【实施或试行日期】:2010-12-01
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Coatings;Degradation;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Ionization;Measurement;Measuringtechniques;Migration;Migration(chemical);MOSFET;Oxides;Rise;Semiconductordevices;Silicon;Stress;Temperature;Temperaturerise;Testing;Testingconditions;Thresholdvoltage;Transistors;Wafers
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_200
【页数】:9P;A4
【正文语种】:英语
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